2.2.15

SANTRUMPOS

 

Lietuviškos:

MDP – metalas-dielektrikas-puslaidininkis;

MDM – metalas-dielektrikas-metalas;

MNOP – metalas-nitridas-oksidas-puslaidininkis;

MOP – metalas-oksidas-puslaidininkis.

Angliškos:

AM – amplitude modulation;

BARITT – barrier injection transit-time;

CMOS – complementary metal-oxide-semiconductor;

FET – field-effect transistor;

FM – frequency modulation;

IC – integrated circuit;

IMPATT – impact avalanche transit-time;

IR – infrared

JFET – junction field-effect transistor;

MIM – metal-insulator-metal;

MIS – metal-insulator-semiconductor;

MNOS – metal-nitride-oxide-semiconductor;

MOS – metal-oxide-semiconductor;

MOSFET – metal-oxide-semiconductor field-effect transistor;

PROM – programmable read-only memory;

RAM – random-access memory;

ROM – read-only memory;

SOS – silicon-on-sapphire;

TRAPATT – trapped plasma avalanche transit-time;

TTL – transistor-transistor-logic;

UV – ultraviolet.

Pastaba: Šios angliškos santrumpos vartojamos ir kai kuriuose vokiškuose bei prancūziškuose terminuose.

Vokiškos:

EMK – elektromotorische Kraft;

FET – Feldeffekttransistor.

Rusiškos:

ИС – интегральная схема;

КМОП – комплементарная МОП-структура;

КНД – кремний-на-диэлектрике;

КНС – кремний-на-сапфире;

МДМ – металл-диэлектрик-металл;

МДП – металл-диэлектрик-полупроводник;

МНОП – металл-нитрид-окисел-полупроводник;

МОП – металл-окисел-полупроводник.